APT1002RBNG

APT1002RBNG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT1002RBNG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4190 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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APT1002RBNG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT1002RBNG
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 240W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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