| Número de pieza | APT1002RBNG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247AD |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Detalles |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Detalles |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Detalles |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Detalles |
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APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Detalles |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Detalles |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Detalles |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Detalles |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Detalles |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Detalles |
