| Artikelnummer | MT47H512M8WTR-3:C |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 450ps |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-FBGA (9x11.5) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT47H512M4EB-187E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA | Einzelheiten |
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MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | Einzelheiten |
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MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ | Einzelheiten |
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MT47H512M4THN-25E:M TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | Einzelheiten |
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MT47H512M4THN-37E:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA | Einzelheiten |
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MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | Einzelheiten |
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MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | Einzelheiten |
