| 부품 번호 | MT47H512M8WTR-3:C |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 메모리 크기 | 4Gb (512M x 8) |
| 클럭 주파수 | 333MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
| 액세스 시간 | 450ps |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 63-TFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 63-FBGA (9x11.5) |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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MT47H512M4EB-187E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA | 세부 |
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MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | 세부 |
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MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ | 세부 |
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MT47H512M4THN-25E:M TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | 세부 |
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MT47H512M4THN-37E:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA | 세부 |
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MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | 세부 |
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MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | 세부 |
