MJD122-TP detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MJD122-TP |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
8A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
100V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
4V @ 80mA, 8A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
10nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
1000 @ 4A, 4V |
Leistung max |
1.5W |
Frequenz - Übergang |
- |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket |
D-Pak |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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