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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Arrays › MMIX4G20N250
MMIX4G20N250

MMIX4G20N250 - IXYS

Artikelnummer
MMIX4G20N250
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMIX4G20N250 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
MMIX4G20N250.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
417 pcs
Referenzpreis
USD 61.248/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern MMIX4G20N250

MMIX4G20N250 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMIX4G20N250
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 2500V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 23A
Leistung max 100W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 20A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 24-SMD Module, 9 Leads
Lieferantengerätepaket SMPD
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR MMIX4G20N250

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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