MMIX1F160N30T detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MMIX1F160N30T |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
300V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
102A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 8mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
335nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2800pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
570W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
20 mOhm @ 60A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SMPD |
Paket / Fall |
24-PowerSMD, 21 Leads |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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