MMIX1F360N15T2 - IXYS

Artikelnummer	MMIX1F360N15T2
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	235A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	715nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	47500pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	680W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	24-SMPD
Paket / Fall	24-PowerSMD, 21 Leads
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MMIX1F132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A SMPD	Einzelheiten
MMIX1F160N30T	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A SMPD	Einzelheiten
MMIX1F180N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 130A SMPD	Einzelheiten
MMIX1F210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A MMIX	Einzelheiten
MMIX1F230N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 168A SMPD	Einzelheiten
MMIX1F360N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 235A	Einzelheiten
MMIX1F40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD	Einzelheiten
MMIX1F420N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 334A SMPD	Einzelheiten
MMIX1F44N100Q3	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A	Einzelheiten
MMIX1F520N075T2	IXYS	MOSFET N-CH 75V 500A	Einzelheiten