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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - アレイ › MMIX4G20N250
MMIX4G20N250

MMIX4G20N250 - IXYS

品番
MMIX4G20N250
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MMIX4G20N250 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
MMIX4G20N250.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
419 pcs
参考価格
USD 61.248/pcs
私達の価格
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MMIX4G20N250 詳細な説明

品番 MMIX4G20N250
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Full Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 2500V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 23A
電力 - 最大 100W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 3.1V @ 15V, 20A
電流 - コレクタ遮断（最大） 10µA
入力容量（Cies）@ Vce -
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 24-SMD Module, 9 Leads
サプライヤデバイスパッケージ SMPD
重量 -
原産国 -

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