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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › MMIX1F210N30P3
MMIX1F210N30P3

MMIX1F210N30P3 - IXYS

品番
MMIX1F210N30P3
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MMIX1F210N30P3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1093 pcs
参考価格
USD 24.2103/pcs
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MMIX1F210N30P3 詳細な説明

品番 MMIX1F210N30P3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 300V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 108A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） -
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 8mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 16200pF @ 25V
Vgs（最大） -
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 16 mOhm @ 105A, 10V
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 24-SMPD
パッケージ/ケース 24-PowerSMD, 21 Leads
重量 -
原産国 -

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