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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Array › MMIX4G20N250
MMIX4G20N250

MMIX4G20N250 - IXYS

Numero di parte
MMIX4G20N250
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MMIX4G20N250 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
MMIX4G20N250.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
431 pcs
Prezzo di riferimento
USD 61.248/pcs
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MMIX4G20N250 Descrizione dettagliata

Numero di parte MMIX4G20N250
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 23A
Potenza - Max 100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 20A
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce -
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 24-SMD Module, 9 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore SMPD
Peso -
Paese d'origine -

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