IXTX32P60P - IXYS

Artikelnummer	IXTX32P60P
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	32A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	196nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11100pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	890W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PLUS247™-3
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTX102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247	Einzelheiten
IXTX110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247	Einzelheiten
IXTX120N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXTX120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXTX170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247	Einzelheiten
IXTX17N120L	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247	Einzelheiten
IXTX1R4N450HV	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	Einzelheiten
IXTX200N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247	Einzelheiten
IXTX20N150	IXYS	MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247	Einzelheiten
IXTX210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247	Einzelheiten