IXTX1R4N450HV - IXYS

Artikelnummer	IXTX1R4N450HV
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	4500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	960W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	40 Ohm @ 50mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247HV
Paket / Fall	TO-247-3 Variant
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTX102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247	Einzelheiten
IXTX110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247	Einzelheiten
IXTX120N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXTX120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247	Einzelheiten
IXTX170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247	Einzelheiten
IXTX17N120L	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247	Einzelheiten
IXTX1R4N450HV	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	Einzelheiten