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| Artikelnummer | IXTX102N65X2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 102A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10900pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1040W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 51A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IXTX102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247 | Einzelheiten |
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IXTX110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 | Einzelheiten |
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IXTX120N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 | Einzelheiten |
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IXTX120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 | Einzelheiten |
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IXTX170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247 | Einzelheiten |
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IXTX17N120L | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 | Einzelheiten |
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IXTX1R4N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | Einzelheiten |
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IXTX200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | Einzelheiten |
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IXTX20N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247 | Einzelheiten |
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IXTX210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247 | Einzelheiten |
