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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IXTX17N120L
IXTX17N120L

IXTX17N120L - IXYS

Artikelnummer
IXTX17N120L
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXTX17N120L PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXTX17N120L.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
868 pcs
Referenzpreis
USD 31.0047/pcs
Unser Preis
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IXTX17N120L detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTX17N120L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8300pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 8.5A, 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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