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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPB65R310CFDATMA1
IPB65R310CFDATMA1

IPB65R310CFDATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPB65R310CFDATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPB65R310CFDATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
127472 pcs
Referenzpreis
USD 1.29163/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IPB65R310CFDATMA1

IPB65R310CFDATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPB65R310CFDATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 400µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 104.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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