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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IPB65R310CFDATMA1
IPB65R310CFDATMA1

IPB65R310CFDATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPB65R310CFDATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPB65R310CFDATMA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
127472 pcs
Precio de referencia
USD 1.29163/pcs
Nuestro precio
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IPB65R310CFDATMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPB65R310CFDATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 104.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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