FDB3502

FDB3502 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FDB3502
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FDB3502 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2000 pcs
Referenzpreis
USD 0.6249/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FDB3502

FDB3502 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FDB3502
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 75V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FDB3502