| Artikelnummer | FDB0190N807L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 270A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 249nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 19110pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 34A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK (7-Lead) |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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FDB0105N407L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 460A | Einzelheiten |
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FDB0165N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 310A TO263 | Einzelheiten |
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FDB0190N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK | Einzelheiten |
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FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V D2PAK-7 | Einzelheiten |
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FDB024N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | Einzelheiten |
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FDB024N08BL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7 | Einzelheiten |
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FDB0250N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK | Einzelheiten |
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FDB0260N1007L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK | Einzelheiten |
