FDB0165N807L

FDB0165N807L - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FDB0165N807L
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6644 pcs
Referenzpreis
USD 3.9422/pcs
Unser Preis
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FDB0165N807L detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FDB0165N807L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 310A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 304nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23660pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 36A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht -
Ursprungsland -

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