| Artikelnummer | FDB016N04AL7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 167nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 283W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 80A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263) |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
FDB0105N407L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 460A | Einzelheiten |
|
FDB0165N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 310A TO263 | Einzelheiten |
|
FDB016N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 | Einzelheiten |
 |
FDB0170N607L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK | Einzelheiten |
|
FDB0190N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK | Einzelheiten |
|
FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V D2PAK-7 | Einzelheiten |
 |
FDB024N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | Einzelheiten |
|
FDB024N08BL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7 | Einzelheiten |
|
FDB0250N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK | Einzelheiten |
|
FDB0260N1007L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK | Einzelheiten |
