FDB3502

FDB3502 - Fairchild/ON Semiconductor

Número de pieza
FDB3502
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2000 pcs
Precio de referencia
USD 0.6249/pcs
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FDB3502 Descripción detallada

Número de pieza FDB3502
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta), 14A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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