| Artikelnummer | EPC8010ENGR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.48nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 50V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8002ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8003ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8004ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8005ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8007ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8008ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8009 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC8009ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | Einzelheiten |
