• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › EPC8010ENGR
EPC8010ENGR

EPC8010ENGR - EPC

品番
EPC8010ENGR
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC8010ENGR PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
EPC8010ENGR.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1579 pcs
参考価格
USD 17.1105/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください EPC8010ENGR

EPC8010ENGR 詳細な説明

品番 EPC8010ENGR
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.7A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.48nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 55pF @ 50V
Vgs（最大） +6V, -5V
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 160 mOhm @ 500mA, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース -
重量 -
原産国 -

関連製品 EPC8010ENGR

画像 品番 メーカー 説明 見る
EPC8002 EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 詳細
EPC8002ENGR EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE 詳細
EPC8003ENGR EPC8003ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE 詳細
EPC8004 EPC8004 EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE 詳細
EPC8004ENGR EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE 詳細
EPC8005ENGR EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE 詳細
EPC8007ENGR EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE 詳細
EPC8008ENGR EPC8008ENGR EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE 詳細
EPC8009 EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 詳細
EPC8009ENGR EPC8009ENGR EPC TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE 詳細