| 부품 번호 | EPC8010ENGR |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.7A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.48nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 55pF @ 50V |
| Vgs (최대) | +6V, -5V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | Die |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8002ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8003ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8004ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8005ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8007ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8008ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8009 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC8009ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | 세부 |
