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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › EPC2051ENGRT
EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT - EPC

Artikelnummer
EPC2051ENGRT
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2051ENGRT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
279067 pcs
Referenzpreis
USD 0.59/pcs
Unser Preis
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EPC2051ENGRT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2051ENGRT
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.7A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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