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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › EPC2051ENGRT
EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT - EPC

品番
EPC2051ENGRT
メーカー
EPC
簡単な説明
GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC2051ENGRT PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
279067 pcs
参考価格
USD 0.59/pcs
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EPC2051ENGRT 詳細な説明

品番 EPC2051ENGRT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.7A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 25 mOhm @ 3A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 1.5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 2.3nC @ 5V
Vgs（最大） +6V, -4V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 280pF @ 50V
FET機能 -
消費電力（最大） -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die
重量 -
原産国 -

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