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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › EPC2051ENGRT
EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT - EPC

Número de pieza
EPC2051ENGRT
Fabricante
EPC
Breve descripción
GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
EPC2051ENGRT Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
279067 pcs
Precio de referencia
USD 0.59/pcs
Nuestro precio
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EPC2051ENGRT Descripción detallada

Número de pieza EPC2051ENGRT
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.7A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Paquete / caja Die
Peso -
País de origen -

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