| Artikelnummer | EPC2019ENG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 100V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 7A, 5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
.jpg "EPC2001") |
EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | Einzelheiten |
.jpg "EPC2007") |
EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Einzelheiten |
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EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | Einzelheiten |
