EPC2019ENG

EPC2019ENG - EPC

Numéro d'article
EPC2019ENG
Fabricant
EPC
Brève description
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6505 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.0902/pcs
Notre prix
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EPC2019ENG Description détaillée

Numéro d'article EPC2019ENG
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 100V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 7A, 5V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur Die
Paquet / cas Die
Poids -
Pays d'origine -

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