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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › EPC2019ENG
EPC2019ENG

EPC2019ENG - EPC

Número de pieza
EPC2019ENG
Fabricante
EPC
Breve descripción
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
EPC2019ENG Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
EPC2019ENG.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
6253 pcs
Precio de referencia
USD 4.0902/pcs
Nuestro precio
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EPC2019ENG Descripción detallada

Número de pieza EPC2019ENG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 100V
Vgs (Max) +6V, -4V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 7A, 5V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Paquete / caja Die
Peso -
País de origen -

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