| Artikelnummer | MJD340-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 300V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Leistung max | 1.56W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
MJD112 | FAIRC | MJD112 FAIRC TO-252.. New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
MJD112-001 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | Einzelheiten |
|
MJD112-1G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | Einzelheiten |
|
MJD112-RTF/E5 | ON | MJD112-RTF/E5 ON TO-252 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
MJD112-TP | Micro Commercial Co | TRANS NPN 100V 2A DPAK | Einzelheiten |
 |
MJD112G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | Einzelheiten |
|
MJD112L | KEC | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) | Einzelheiten |
|
MJD112RL | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | Einzelheiten |
|
MJD112RLG | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | Einzelheiten |
|
MJD112T4 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | Einzelheiten |
