DMP56D0UFB-7B - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP56D0UFB-7B
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.58nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50.54pF @ 25V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	425mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 100mA, 4V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / Fall	3-UFDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP56D0UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	Einzelheiten
DMP56D0UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	Einzelheiten
DMP56D0UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563	Einzelheiten