DMP56D0UFB-7B

DMP56D0UFB-7B - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMP56D0UFB-7B
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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USD 0.1052/pcs
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DMP56D0UFB-7B Descrizione dettagliata

Numero di parte DMP56D0UFB-7B
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.58nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50.54pF @ 25V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 425mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 100mA, 4V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacchetto / caso 3-UFDFN
Peso -
Paese d'origine -

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