DMP56D0UFB-7B - Diodes Incorporated

номер части	DMP56D0UFB-7B
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	50V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	200mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	0.58nC @ 4V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	50.54pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±8V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	425mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 100mA, 4V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Упаковка / чехол	3-UFDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMP56D0UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	подробности
DMP56D0UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	подробности
DMP56D0UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563	подробности