DMP56D0UFB-7B - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMP56D0UFB-7B
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.58nC @ 4V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50.54pF @ 25V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	425mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 100mA, 4V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquet / cas	3-UFDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMP56D0UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	Détails
DMP56D0UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	Détails
DMP56D0UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563	Détails