DMP56D0UFB-7

DMP56D0UFB-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMP56D0UFB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1221/pcs
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DMP56D0UFB-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMP56D0UFB-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.58nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50.54pF @ 25V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 425mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 100mA, 4V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / Fall 3-UFDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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