DMP510DL-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP510DL-7
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	180mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	24.6pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	310mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 100mA, 5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP510DL-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23	Einzelheiten
DMP510DL-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23	Einzelheiten
DMP56D0UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	Einzelheiten
DMP56D0UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN	Einzelheiten
DMP56D0UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563	Einzelheiten
DMP57D5UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN	Einzelheiten
DMP57D5UV	DIODES	DMP57D5UV DIODES SOT563 New Original Stocks	Einzelheiten
DMP57D5UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563	Einzelheiten
DMP58D0LFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3	Einzelheiten
DMP58D0LFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN	Einzelheiten