E4D20120A Подробное описание
| номер части |
E4D20120A |
| Статус детали |
Active |
| Тип диода |
Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) |
1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) |
54.5A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если |
1.8V @ 20A |
| скорость |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) |
0ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr |
200µA @ 1200V |
| Емкость @ Vr, F |
1500pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа |
Through Hole |
| Упаковка / чехол |
TO-220-2 |
| Пакет устройств поставщика |
TO-220-2 |
| Рабочая температура - Соединение |
-55°C ~ 175°C |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ E4D20120A
