E4D20120A detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
E4D20120A |
| Teilstatus |
Active |
| Dioden-Typ |
Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) |
1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) |
54.5A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If |
1.8V @ 20A |
| Geschwindigkeit |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) |
0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr |
200µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F |
1500pF @ 0V, 1MHz |
| Befestigungsart |
Through Hole |
| Paket / Fall |
TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket |
TO-220-2 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung |
-55°C ~ 175°C |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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