E4D20120A Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
E4D20120A |
| Stato parte |
Active |
| Tipo diodo |
Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) |
1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) |
54.5A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If |
1.8V @ 20A |
| Velocità |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) |
0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr |
200µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F |
1500pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio |
Through Hole |
| Pacchetto / caso |
TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-220-2 |
| Temperatura operativa - Giunzione |
-55°C ~ 175°C |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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