VS-GT50TP60N - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-GT50TP60N
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	85A
Мощность - макс.	208W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.03nF @ 30V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	INT-A-PAK (3 + 4)
Пакет устройств поставщика	INT-A-PAK
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	подробности
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	подробности
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	подробности
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	подробности
VS-GA200HS60S1	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W	подробности
VS-GA200HS60S1PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK	подробности
VS-GA200SA60SP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	подробности
VS-GA200SA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 200A 500W SOT-227	подробности
VS-GA200TH60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK	подробности
VS-GA250SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 400A SOT227	подробности