VS-GT50TP60N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GT50TP60N
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	85A
Puissance - Max	208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	3.03nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	INT-A-PAK (3 + 4)
Package de périphérique fournisseur	INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	Détails
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	Détails
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	Détails
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	Détails
VS-GA200HS60S1	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W	Détails
VS-GA200HS60S1PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK	Détails
VS-GA200SA60SP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	Détails
VS-GA200SA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 200A 500W SOT-227	Détails
VS-GA200TH60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK	Détails
VS-GA250SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 400A SOT227	Détails