VS-ENQ030L120S - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-ENQ030L120S
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench
конфигурация	Three Level Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	61A
Мощность - макс.	216W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.52V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	230µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.34nF @ 30V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	EMIPAK-1B
Пакет устройств поставщика	EMIPAK-1B
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	VS-ENQ030L120S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B	подробности