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VS-ENQ030L120S - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte: VS-ENQ030L120S
fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descrizione: IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica: VS-ENQ030L120S Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica: -
Categoria: Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna: 1 Day
Codice data: New
Quantità di stock: 7 pcs
Prezzo di riferimento: USD 117.94/pcs
Il nostro prezzo: Invia per e-mail: [email protected]

VS-ENQ030L120S Descrizione dettagliata

Numero di parte	VS-ENQ030L120S
Stato parte	Active
Tipo IGBT	Trench
Configurazione	Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	61A
Potenza - Max	216W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.52V @ 15V, 30A
Corrente - Limite del collettore (max)	230µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	3.34nF @ 30V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	EMIPAK-1B
Pacchetto dispositivo fornitore	EMIPAK-1B
Peso	-
Paese d'origine	-

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