VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-ENQ030L120S
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-ENQ030L120S PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7 pcs
Referenzpreis
USD 117.94/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-ENQ030L120S
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Aufbau Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 61A
Leistung max 216W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 230µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.34nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall EMIPAK-1B
Lieferantengerätepaket EMIPAK-1B
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR VS-ENQ030L120S