SISA72ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SISA72ADN-T1-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25.4A (Ta), 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Макс.)	+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2530pF @ 20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® 1212-8
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SISA72ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK 1212	подробности
	SISA72DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8	подробности