SISA72ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SISA72ADN-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25.4A (Ta), 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2530pF @ 20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas	PowerPAK® 1212-8
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	SISA72ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK 1212	Détails
	SISA72DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8	Détails