SISA72ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

品番	SISA72ADN-T1-GE3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	25.4A (Ta), 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	50nC @ 10V
Vgs（最大）	+20V, -16V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2530pF @ 20V
FET機能	-
消費電力（最大）	3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® 1212-8
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	SISA72ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK 1212	詳細
	SISA72DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8	詳細