SI6404DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SI6404DQ-T1-GE3
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	8.6A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	48nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Vgs (Макс.)	±12V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.08W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 11A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-TSSOP
Упаковка / чехол	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI6404DQ	VISHAY	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	подробности
SI6404DQ-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP	подробности
SI6404DQ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP	подробности
SI6405DQ	VISHAY	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	подробности